STB21NM60N - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB21NM60N
Hersteller Teil #: STB21NM60N
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
17A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
140W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Turn Off Delay Time  
84 ns
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
220mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
600V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Current Rating  
17A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB21N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
140W
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
220m Ω @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1900pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
66nC @ 10V
Rise Time  
15ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
31 ns
Continuous Drain Current (ID)  
17A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
68A
Dual Supply Voltage  
600V
Nominal Vgs  
3 V
REACH SVHC  
No SVHC
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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