STD10PF06T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD10PF06T4
Hersteller Teil #: STD10PF06T4
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Weight  
4.535924g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
40W Tc
Turn Off Delay Time  
17 ns
Operating Temperature  
175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
STripFET™ II
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
200mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
-60V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Current Rating  
-10A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STD10
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
40W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
7 ns
FET Type  
P-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
200m Ω @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
21nC @ 10V
Rise Time  
40ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
10 ns
Continuous Drain Current (ID)  
10A
Threshold Voltage  
-4V
JEDEC-95 Code  
TO-252AA
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
60V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
40A
Dual Supply Voltage  
-60V
Max Junction Temperature (Tj)  
175°C
Nominal Vgs  
-4 V
Height  
2.63mm
Length  
6.6mm
Width  
6.2mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STD10PF06T4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
RFD3055LESM9A TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
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Häufig gestellte Fragen

What is power MOSFET and explain it?

A power MOSFET is a specific type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) designed to handle significant power levels.

What is the application of power MOSFET?

Power MOSFETs are commonly used in automotive electronics, particularly as switching devices in electronic control units, and as power converters in modern electric vehicles. The insulated-gate bipolar transistor (IGBT), a hybrid MOS-bipolar transistor, is also used for a wide variety of applications.

Is Power Mosfet different from MOSFET?

Power MOSFET is a type of MOSFET which is specially meant to handle high levels of power. These exhibit high switching speed and can work much better in comparison with other normal MOSFETs in the case of low voltage levels. However its operating principle is similar to that of any other general MOSFET.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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