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STP33N60DM6 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STP33N60DM6

Hersteller Teil #: STP33N60DM6

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: N-CHANNEL 600 V, 115 MOHM TYP.,

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STP33N60DM6 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

16 Weeks

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.75V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Series

MDmesh™ M6

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

128m Ω @ 12.5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±25V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

STP33N60DM6 Preis
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: N-CHANNEL 600 V, 115 MOHM TYP.,

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 38685 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 3.07000

Menge.	Stückpreis
1+:	$3.07000
10+:	$2.89622
100+:	$2.73229
500+:	$2.57763
1000+:	$2.43173

Zwischensumme: $3.07000

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