STB10N60M2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB10N60M2
Hersteller Teil #: STB10N60M2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
26 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Weight  
3.949996g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
7.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
85W Tc
Turn Off Delay Time  
32.5 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™ II Plus
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Form  
GULL WING
Base Part Number  
STB10N6
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
85W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
8.8 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
600m Ω @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
400pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
13.5nC @ 10V
Rise Time  
8ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600V
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
13.2 ns
Continuous Drain Current (ID)  
7.5A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain-source On Resistance-Max  
0.6Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
650V
Height  
4.6mm
Length  
10.4mm
Width  
9.35mm
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB10N60M2 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB10N60M2 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
STB8NM60T4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
STB11N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
STB6NK60ZT4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
Verwandte Teile in STB10N60M2
STB10N60M2 Verwandtes Stichwort.
  • STB10N60M2 Preis
  • STB10N60M2 Verteilers
  • STB10N60M2 Hersteller
  • STB10N60M2 Technische Daten
  • STB10N60M2 PDF
  • STB10N60M2 Datenblätter
  • STB10N60M2 Bild
  • STB10N60M2 Foto
  • STB10N60M2 Teil
  • STB10N60M2 Lagerbestand
  • STB10N60M2 Inventar
  • STB10N60M2 Angebotsanfrage
  • Kaufen STB10N60M2
  • STB10N60M2 Anfrage
  • STB10N60M2 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 50 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HSMS-282P-TR1G
Broadcom Limited
Diode Schottky 15V 6-Pin SOT-363 T/R
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
IRM-30-15
MEAN WELL USA Inc.
AC/DC CONVERTER 15V 30W
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HSMS-2810-TR1G
Broadcom Limited
AVAGO TECHNOLOGIES HSMS-2810-TR1G RF Schottky Diode, Barrier, Single, 20 V, 1 A, 410 mV, 1.2 pF, SOT-23
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HSMP-3810-TR1G
Broadcom Limited
BROADCOM LIMITED HSMP-3810-TR1G RF / Pin Diode, Single, 3 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pin, 0.35 pF
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HSMP-3814-TR1G
Broadcom Limited
BROADCOM LIMITED HSMP-3814-TR1G RF / Pin Diode, Attenuator, Common Cathode, 3 ohm, 100 V, SOT-23, 3 Pin, 0.35 pF
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
IRM-02-5
MEAN WELL USA Inc.
AC/DC CONVERTER 5V 2W
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HSMS-8202-TR1G
Broadcom Limited
AVAGO TECHNOLOGIES HSMS-8202-TR1G RF Schottky Diode, Dual Series, 4 V, 5 mA, 350 mV, 0.26 pF, SOT-23
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HSMS-2812-BLKG
Broadcom Limited
BROADCOM LIMITED - HSMS-2812-BLKG - DIODE SCHOTTKY
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HSMS-2800-TR1G
Broadcom Limited
DIODE SCHOTTKY RF SGL 70V SOT-23
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HSMS-286C-BLKG
Broadcom Limited
Diode RF Schottky 4V 3-Pin SOT-323 Bulk
Mehr erfahren