TP5322N8-G - Microchip Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-TP5322N8-G
Hersteller Teil #: TP5322N8-G
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm3 SOT-89T/R
Verpackung: TO-243AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
18 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-243AA
Number of Pins  
4
Weight  
52.786812mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
260mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V 10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
1.6W Ta
Turn Off Delay Time  
20 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
2013
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
12Ohm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Additional Feature  
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Form  
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
40
JESD-30 Code  
R-PSSO-F3
Qualification Status  
Not Qualified
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
1.6W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
10 ns
FET Type  
P-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
12 Ω @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
2.4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
110pF @ 25V
Rise Time  
15ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
220V
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
15 ns
Continuous Drain Current (ID)  
-260mA
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
0.26A
Drain to Source Breakdown Voltage  
-220V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
0.9A
Height  
1.6mm
Length  
4.6mm
Width  
2.6mm
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:TP5322N8-G Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
TP5322N8-G TO-243AA MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm3 SOT-89T/R
ZVP4424ZTA TO-243AA MOSFET P Channel
ZXMN10A07ZTA TO-243AA Trans MOSFET N-CH 100V 1.4A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
ZVP4525ZTA TO-243AA MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89
ZVN4525ZTA TO-243AA MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89
Verwandte Teile in TP5322N8-G
TP5322N8-G Verwandtes Stichwort.
  • TP5322N8-G Preis
  • TP5322N8-G Verteilers
  • TP5322N8-G Hersteller
  • TP5322N8-G Technische Daten
  • TP5322N8-G PDF
  • TP5322N8-G Datenblätter
  • TP5322N8-G Bild
  • TP5322N8-G Foto
  • TP5322N8-G Teil
  • TP5322N8-G Lagerbestand
  • TP5322N8-G Inventar
  • TP5322N8-G Angebotsanfrage
  • Kaufen TP5322N8-G
  • TP5322N8-G Anfrage
  • TP5322N8-G Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm3 SOT-89T/R
Verpackung: TO-243AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 6000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.40676
Menge. Stückpreis
1+: $2.40676
10+: $2.27053
100+: $2.14201
500+: $2.02076
1000+: $1.90638
Zwischensumme: $2.40676

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren