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STB6N65M2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB6N65M2

Hersteller Teil #: STB6N65M2

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB6N65M2 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

26 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Weight

3.949996g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

6.5 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Series

MDmesh™

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Code

EAR99

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STB6N

Number of Channels

Turn On Delay Time

19 ns

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35 Ω @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

226pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Rise Time

7ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

20 ns

Continuous Drain Current (ID)

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB6N65M2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	STMICROELECTRONICS STB6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
SPB04N60S5ATMA1	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-263
STB6N52K3	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
STB6N80K5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET POWER MOSFET

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 18000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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