FDB86102LZ - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDB86102LZ
Hersteller Teil #: FDB86102LZ
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDB86102LZ - MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-263
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time  
8 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Weight  
1.31247g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
8.3A Ta 30A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V 10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
3.1W Ta
Turn Off Delay Time  
18.2 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2011
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Terminal Form  
GULL WING
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
3.1W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
6.6 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
24m Ω @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1275pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
21nC @ 10V
Rise Time  
2.1ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
2.3 ns
Continuous Drain Current (ID)  
30A
Threshold Voltage  
1.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain-source On Resistance-Max  
0.024Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
50A
Nominal Vgs  
1.5 V
Height  
4.83mm
Length  
10.67mm
Width  
11.33mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDB86102LZ Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDB86102LZ TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB ON SEMICONDUCTOR - FDB86102LZ - MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-263
FDB3682 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263AB, SINGLE, N-CH, 100V,
IRF9540NSTRLPBF TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
AUIRF540ZS TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
IPB35N10S3L26ATMA1 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263
Verwandte Teile in FDB86102LZ
FDB86102LZ Verwandtes Stichwort.
  • FDB86102LZ Preis
  • FDB86102LZ Verteilers
  • FDB86102LZ Hersteller
  • FDB86102LZ Technische Daten
  • FDB86102LZ PDF
  • FDB86102LZ Datenblätter
  • FDB86102LZ Bild
  • FDB86102LZ Foto
  • FDB86102LZ Teil
  • FDB86102LZ Lagerbestand
  • FDB86102LZ Inventar
  • FDB86102LZ Angebotsanfrage
  • Kaufen FDB86102LZ
  • FDB86102LZ Anfrage
  • FDB86102LZ Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDB86102LZ - MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-263
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 2670 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.60551
Menge. Stückpreis
1+: $2.60551
10+: $2.45803
100+: $2.31889
500+: $2.18763
1000+: $2.06381
Zwischensumme: $2.60551

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren