STD5N60M2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD5N60M2
Hersteller Teil #: STD5N60M2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET POWER MOSFET
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
16 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Weight  
3.949996g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
3.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
45W Tc
Turn Off Delay Time  
70 ns
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Cut Tape (CT)
Series  
MDmesh™ II Plus
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STD5N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
11.8 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
1.4 Ω @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
211pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
8.5nC @ 10V
Rise Time  
3ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
15 ns
Continuous Drain Current (ID)  
3.5A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
80 mJ
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STD5N60M2 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STD5N60M2 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET POWER MOSFET
STD6N65M2 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
SPD03N60S5BTMA1 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
IPD60R1K0CEATMA1 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
IPD60R1K4C6ATMA1 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
Verwandte Teile in STD5N60M2
STD5N60M2 Verwandtes Stichwort.
  • STD5N60M2 Preis
  • STD5N60M2 Verteilers
  • STD5N60M2 Hersteller
  • STD5N60M2 Technische Daten
  • STD5N60M2 PDF
  • STD5N60M2 Datenblätter
  • STD5N60M2 Bild
  • STD5N60M2 Foto
  • STD5N60M2 Teil
  • STD5N60M2 Lagerbestand
  • STD5N60M2 Inventar
  • STD5N60M2 Angebotsanfrage
  • Kaufen STD5N60M2
  • STD5N60M2 Anfrage
  • STD5N60M2 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What is the result of the SuperMESH3TM Power MOSFET technology?

high avalanche capability

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET POWER MOSFET
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 25995 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.53235
Menge. Stückpreis
1+: $1.53235
10+: $1.44561
100+: $1.36379
500+: $1.28659
1000+: $1.21376
Zwischensumme: $1.53235

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren