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FDS4675 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDS4675

Hersteller Teil #: FDS4675

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDS4675 - Power MOSFET, P Channel, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Surface Mount

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDS4675 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

12 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Number of Pins

Weight

130mg

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Delay Time

95 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

2.4W Ta

Series

PowerTrench®

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

13MOhm

Voltage - Rated DC

-40V

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

-11A

Number of Channels

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

2.4W

Turn On Delay Time

20 ns

FET Type

P-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13m Ω @ 11A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 4.5V

Rise Time

29ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

60 ns

Continuous Drain Current (ID)

-11A

Threshold Voltage

-1.4V

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

-40V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

50A

Dual Supply Voltage

-40V

Max Junction Temperature (Tj)

175°C

Nominal Vgs

-1.4 V

Width

3.9mm

Height

1.75mm

Length

4.9mm

RoHS Status

ROHS3 Compliant

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDS4675	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS4675 - Power MOSFET, P Channel, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Surface Mount
IRF9328TRPBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
IRF7821TRPBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
FDS8447	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDS4675 - Power MOSFET, P Channel, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Surface Mount

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 10200 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 1.47653

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.47653
10+:	$1.39296
100+:	$1.31411
500+:	$1.23973
1000+:	$1.16955

Zwischensumme: $1.47653

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