FDMA905P - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDMA905P
Hersteller Teil #: FDMA905P
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET
Verpackung: 6-VDFN Exposed Pad
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Factory Lead Time  
16 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
6-VDFN Exposed Pad
Number of Pins  
6
Weight  
30mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
10A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
1.8V 4.5V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
2.4W Ta
Turn Off Delay Time  
120 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2006
JESD-609 Code  
e4
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
6
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Terminal Position  
DUAL
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
900mW
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
11 ns
FET Type  
P-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
16m Ω @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id  
1V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
3405pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
29nC @ 6V
Rise Time  
11ns
Vgs (Max)  
±8V
Fall Time (Typ)  
59 ns
Continuous Drain Current (ID)  
10A
Threshold Voltage  
-700mV
Gate to Source Voltage (Vgs)  
8V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
1A
Drain to Source Breakdown Voltage  
12V
Height  
725μm
Length  
2mm
Width  
2mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDMA905P 6-VDFN Exposed Pad MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET
DMP1022UFDE-7 6-UDFN Exposed Pad MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
IRF7420TRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
FDMA908PZ 6-WDFN Exposed Pad MOSFET Single P-Channel Power Trench Mosfet
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Häufig gestellte Fragen

Who designed the Single N-Channel MOSFET?

Fairchild Semiconductor

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET
Verpackung: 6-VDFN Exposed Pad
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 44625 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.39251
Menge. Stückpreis
1+: $1.39251
10+: $1.31368
100+: $1.23932
500+: $1.16917
1000+: $1.10299
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