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STWA50N65DM2AG - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STWA50N65DM2AG

Hersteller Teil #: STWA50N65DM2AG

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: POWER TRANSISTORS

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STWA50N65DM2AG Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

17 Weeks

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Series

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STWA50

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

87m Ω @ 19A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Vgs (Max)

±25V

RoHS Status

RoHS Compliant

REACH SVHC

compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: POWER TRANSISTORS

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 30000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 4.42685

Menge.	Stückpreis
1+:	$4.42685
10+:	$4.17627
100+:	$3.93988
500+:	$3.71686
1000+:	$3.50648

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