STP35N65DM2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STP35N65DM2
Hersteller Teil #: STP35N65DM2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-CHANNEL 650 V, 0.094 OHM TYP.,
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
17 Weeks
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
32A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Power Dissipation (Max)  
250W Tc
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Series  
MDmesh™ DM2
Part Status  
Active
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
110m Ω @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
2540pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
56.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
650V
Vgs (Max)  
±25V
RoHS Status  
RoHS Compliant
Suche nach Teilenummer:STP35N65DM2 Enthaltenes Wort ist 0
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
Verwandte Teile in STP35N65DM2
STP35N65DM2 Verwandtes Stichwort.
  • STP35N65DM2 Preis
  • STP35N65DM2 Verteilers
  • STP35N65DM2 Hersteller
  • STP35N65DM2 Technische Daten
  • STP35N65DM2 PDF
  • STP35N65DM2 Datenblätter
  • STP35N65DM2 Bild
  • STP35N65DM2 Foto
  • STP35N65DM2 Teil
  • STP35N65DM2 Lagerbestand
  • STP35N65DM2 Inventar
  • STP35N65DM2 Angebotsanfrage
  • Kaufen STP35N65DM2
  • STP35N65DM2 Anfrage
  • STP35N65DM2 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: N-CHANNEL 650 V, 0.094 OHM TYP.,
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 26800 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren