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STW26N60M2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW26N60M2

Hersteller Teil #: STW26N60M2

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STW26N60M2 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

16 Weeks

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Power Dissipation (Max)

169W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Series

MDmesh™ M2

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Base Part Number

STW26N

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165m Ω @ 10A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±25V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

STW26N60M2 Preis
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STW26N60M2 Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 2400 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

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