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STW26N65DM2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW26N65DM2

Hersteller Teil #: STW26N65DM2

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: N-CHANNEL 650 V, 0.156 OHM TYP.,

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STW26N65DM2 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

17 Weeks

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

170W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Series

MDmesh™ DM2

Part Status

Active

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190m Ω @ 10A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.5nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Vgs (Max)

±25V

REACH SVHC

compliant

RoHS Status

RoHS Compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

STW26N65DM2 Preis
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STW26N65DM2 Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: N-CHANNEL 650 V, 0.156 OHM TYP.,

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 52388 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 1.59455

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.59455
10+:	$1.50430
100+:	$1.41915
500+:	$1.33882
1000+:	$1.26304

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