STB22N60DM6 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB22N60DM6
Hersteller Teil #: STB22N60DM6
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-CHANNEL 600 V, 200 MOHM TYP.,
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
16 Weeks
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type  
Surface Mount
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4.75V @ 250μA
Power Dissipation (Max)  
130W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
15A Tc
Series  
MDmesh™ M6
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Part Status  
Active
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
240m Ω @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
800pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
20.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600V
Vgs (Max)  
±25V
RoHS Status  
RoHS Compliant
REACH SVHC  
compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: N-CHANNEL 600 V, 200 MOHM TYP.,
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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