STI18N60M2 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STI18N60M2
Hersteller Teil #: STI18N60M2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
16 Weeks
Surface Mount  
NO
Transistor Element Material  
SILICON
Number of Elements  
1
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STI18N
JESD-30 Code  
R-PSIP-T3
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
13A
Drain-source On Resistance-Max  
0.28Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
52A
DS Breakdown Voltage-Min  
600V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
135 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 616 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.93672
Menge. Stückpreis
1+: $1.93672
10+: $1.82710
100+: $1.72367
500+: $1.62611
1000+: $1.53406
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