STI20N60M2-EP - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STI20N60M2-EP
Hersteller Teil #: STI20N60M2-EP
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
14 Weeks
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4.75V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
13A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Power Dissipation (Max)  
110W Tc
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Series  
MDmesh™ M2-EP
Part Status  
OBSOLETE (Last Updated: 7 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STI20N
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
278m Ω @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
787pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
21.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600V
Vgs (Max)  
±25V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Produktkategorie:
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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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