STU5N95K5 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STU5N95K5
Hersteller Teil #: STU5N95K5
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 950V 3.5A IPAK
Verpackung: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
17 Weeks
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Surface Mount  
NO
Package / Case  
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type  
Through Hole
Transistor Element Material  
SILICON
Power Dissipation (Max)  
70W Tc
Number of Elements  
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
3.5A Tc
Series  
MDmesh™ K5
Packaging  
Tube
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
Terminal Position  
SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STU5N
JESD-30 Code  
R-PSIP-T3
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
2.5 Ω @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 100μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
220pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
12.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
950V
Vgs (Max)  
±30V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
3.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
14A
DS Breakdown Voltage-Min  
950V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
70 mJ
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 950V 3.5A IPAK
Verpackung: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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