IRF3205LPBF - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF3205LPBF

Hersteller Teil #: IRF3205LPBF

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Infineon Technologies

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 110A TO-262

Verpackung: TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF3205LPBF Datenblatt

ECAD-Modell:

VDSS= 55V

RDS(on)= 8.0mΩ
ID= 110A
Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free

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advanced processing techniques

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 110A TO-262

Verpackung: TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

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Menge.	Stückpreis
1+:	$0.91080
10+:	$0.85925
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