STD10NM60N - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD10NM60N
Hersteller Teil #: STD10NM60N
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
16 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
70W Tc
Turn Off Delay Time  
32 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Cut Tape (CT)
Series  
MDmesh™ II
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
600mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STD10
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
70W
Turn On Delay Time  
10 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
550m Ω @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
540pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
19nC @ 10V
Rise Time  
12ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
15 ns
Continuous Drain Current (ID)  
10A
Threshold Voltage  
3V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
8A
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
200 mJ
Nominal Vgs  
3 V
Height  
2.4mm
Length  
6.6mm
Width  
6.2mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STD10NM60N Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STD10NM60N TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
FCD9N60NTM TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
STD10NM50N TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
STD13NM60N TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD11NM50N TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Verwandte Teile in STD10NM60N
STD10NM60N Verwandtes Stichwort.
  • STD10NM60N Preis
  • STD10NM60N Verteilers
  • STD10NM60N Hersteller
  • STD10NM60N Technische Daten
  • STD10NM60N PDF
  • STD10NM60N Datenblätter
  • STD10NM60N Bild
  • STD10NM60N Foto
  • STD10NM60N Teil
  • STD10NM60N Lagerbestand
  • STD10NM60N Inventar
  • STD10NM60N Angebotsanfrage
  • Kaufen STD10NM60N
  • STD10NM60N Anfrage
  • STD10NM60N Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 4989 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.46990
Menge. Stückpreis
1+: $2.46990
10+: $2.33010
100+: $2.19820
500+: $2.07378
1000+: $1.95639
Zwischensumme: $2.46990

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren