LP0701LG-G - Microchip Technology

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Kynix Teil #: KY13-LP0701LG-G
Hersteller Teil #: LP0701LG-G
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-16.5V,1.5 Ohm8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
17 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Weight  
84.99187mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
700mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
2V 5V
Turn Off Delay Time  
30 ns
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
1.5W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
1V @ 1.1mA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
2013
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Additional Feature  
LOW THRESHOLD
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
40
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Number of Channels  
1
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
1.5W
Turn On Delay Time  
20 ns
FET Type  
P-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
1.5 Ω @ 300mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
250pF @ 15V
Rise Time  
20ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
16.5V
Vgs (Max)  
±10V
Fall Time (Typ)  
20 ns
Continuous Drain Current (ID)  
700mA
Gate to Source Voltage (Vgs)  
10V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
0.7A
Drain to Source Breakdown Voltage  
-16.5V
Feedback Cap-Max (Crss)  
60 pF
Height  
1.65mm
Length  
4.9mm
Width  
3.9mm
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
LP0701LG-G 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-16.5V,1.5 Ohm8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R
FDS9926A 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-16.5V,1.5 Ohm8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 19000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.95903
Menge. Stückpreis
1+: $1.95903
10+: $1.84814
100+: $1.74353
500+: $1.64484
1000+: $1.55173
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