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IRF830 - Rochester Electronics, LLC

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF830

Hersteller Teil #: IRF830

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Rochester Electronics, LLC

Beschreibung: N-CHANNEL POWER MOSFET

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF830 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Surface Mount

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

74W Tc

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

JESD-609 Code

Pbfree Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Terminal Finish

TIN LEAD

Terminal Position

SINGLE

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Reach Compliance Code

unknown

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

JESD-30 Code

R-PSFM-T3

Qualification Status

COMMERCIAL

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ω @ 2.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Vgs (Max)

±20V

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Drain Current-Max (Abs) (ID)

4.5A

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

18A

DS Breakdown Voltage-Min

500V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

IRF830 Preis
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: N-CHANNEL POWER MOSFET

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
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