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STB33N60DM2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB33N60DM2

Hersteller Teil #: STB33N60DM2

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB33N60DM2 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

MDmesh™ DM2

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Code

EAR99

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STB33N

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130m Ω @ 12A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±25V

Continuous Drain Current (ID)

24A

Threshold Voltage

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB33N60DM2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
STB33N60M2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
STB35N60DM2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 28A
STB28N60DM2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	STMICROELECTRONICS STB28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

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Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Stückpreis: 5.10597

Menge.	Stückpreis
1+:	$5.10597
10+:	$4.81695
100+:	$4.54429
500+:	$4.28707
1000+:	$4.04440

Zwischensumme: $5.10597

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