STB80NF10T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB80NF10T4
Hersteller Teil #: STB80NF10T4
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
12 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Weight  
4.535924g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
300W Tc
Turn Off Delay Time  
116 ns
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
STripFET™ II
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
15mOhm
Voltage - Rated DC  
100V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Reach Compliance Code  
not_compliant
Current Rating  
80A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB80N
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
300W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
26 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
15m Ω @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
5500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
182nC @ 10V
Rise Time  
80ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
60 ns
Continuous Drain Current (ID)  
80A
Threshold Voltage  
3V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
100V
Dual Supply Voltage  
100V
Nominal Vgs  
3 V
Height  
4.6mm
Length  
10.4mm
Width  
9.35mm
REACH SVHC  
No SVHC
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB80NF10T4 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB80NF10T4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
STB75NF75LT4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
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Häufig gestellte Fragen

What is the STripFET process designed to minimize?

input capacitance and gate charge

What is the Power MOSFET series suitable for in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for Telecom and Computer application?

primary switch

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 4000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.89960
Menge. Stückpreis
1+: $2.89960
10+: $2.73547
100+: $2.58063
500+: $2.43456
1000+: $2.29675
Zwischensumme: $2.89960

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