STD11NM60ND - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STD11NM60ND
Hersteller Teil #: STD11NM60ND
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
16 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Turn Off Delay Time  
50 ns
Power Dissipation (Max)  
90W Tc
Series  
FDmesh™ II
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Operating Temperature  
150°C TJ
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
450mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form  
GULL WING
Base Part Number  
STD11
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
90W
Turn On Delay Time  
16 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
450m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
850pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
30nC @ 10V
Rise Time  
7ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
9 ns
Continuous Drain Current (ID)  
10A
Threshold Voltage  
3V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
40A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
200 mJ
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Nominal Vgs  
4 V
Height  
2.4mm
Length  
6.6mm
Width  
6.2mm
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Radiation Hardening  
No
REACH SVHC  
No SVHC
Lead Free  
Lead Free
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 3956 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 4.52403
Menge. Stückpreis
1+: $4.52403
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100+: $4.02637
500+: $3.79846
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