STB28N65M2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB28N65M2
Hersteller Teil #: STB28N65M2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
26 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
170W Tc
Turn Off Delay Time  
59 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Cut Tape (CT)
Series  
MDmesh™ M2
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STB28N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
13.4 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
180m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1440pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
650V
Vgs (Max)  
±25V
Continuous Drain Current (ID)  
20A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain-source On Resistance-Max  
0.18Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
80A
DS Breakdown Voltage-Min  
650V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
760 mJ
Height  
4.6mm
Length  
10.4mm
Width  
9.35mm
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:STB28N65M2 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB28N65M2 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
STB31N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
STB18N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
STB32NM50N TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II
Verwandte Teile in STB28N65M2
STB28N65M2 Verwandtes Stichwort.
  • STB28N65M2 Preis
  • STB28N65M2 Verteilers
  • STB28N65M2 Hersteller
  • STB28N65M2 Technische Daten
  • STB28N65M2 PDF
  • STB28N65M2 Datenblätter
  • STB28N65M2 Bild
  • STB28N65M2 Foto
  • STB28N65M2 Teil
  • STB28N65M2 Lagerbestand
  • STB28N65M2 Inventar
  • STB28N65M2 Angebotsanfrage
  • Kaufen STB28N65M2
  • STB28N65M2 Anfrage
  • STB28N65M2 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What do the N-channel Power MOSFETs exhibit?

low on-resistance and optimized switching characteristics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 6320 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12008PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 1.2KV 27.9A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12008A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 1.2KV 24.8A TO220AC
Mehr erfahren