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STB34NM60N - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB34NM60N

Hersteller Teil #: STB34NM60N

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB34NM60N Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB34NM60N Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

26 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

29A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

106 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Series

MDmesh™ II

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Form

GULL WING

Base Part Number

STB34N

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

17 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105m Ω @ 14.5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2722pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Rise Time

34ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

70 ns

Continuous Drain Current (ID)

29A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain-source On Resistance-Max

0.105Ohm

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

126A

DS Breakdown Voltage-Min

600V

Nominal Vgs

3 V

Height

4.6mm

Length

10.75mm

Width

10.4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB34NM60N	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	STMICROELECTRONICS STB34NM60N Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
STB28NM50N	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
IPB60R099CPATMA1	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 650V 31A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263
IPB60R165CPATMA1	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-263
IPB65R110CFDAATMA1	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263

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Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB34NM60N Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 32363 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 7.90628

Menge.	Stückpreis
1+:	$7.90628
10+:	$7.45876
100+:	$7.03656
500+:	$6.63827
1000+:	$6.26252

Zwischensumme: $7.90628

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