FDB86135 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDB86135
Hersteller Teil #: FDB86135
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100V, 176A, 3.5mO
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time  
8 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Weight  
1.31247g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
75A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
2.4W Ta 227W Tc
Turn Off Delay Time  
37 ns
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2017
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Additional Feature  
ULTRA LOW-ON RESISTANCE
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
227W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
22 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
3.5m Ω @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
7295pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
116nC @ 10V
Rise Time  
54ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
11 ns
Continuous Drain Current (ID)  
75A
Threshold Voltage  
2V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
120A
Drain to Source Breakdown Voltage  
100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
704A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
658 mJ
Height  
4.83mm
Length  
10.67mm
Width  
9.65mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDB86135 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100V, 176A, 3.5mO
AUIRFS4410Z TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
FDB3632 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount
AUIRFS4610 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
AUIRF3710ZS TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100V, 176A, 3.5mO
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 79999 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 4.85056
Menge. Stückpreis
1+: $4.85056
10+: $4.57600
100+: $4.31698
500+: $4.07262
1000+: $3.84210
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