FDMC2610 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDMC2610
Hersteller Teil #: FDMC2610
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
Verpackung: 8-PowerWDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
10 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-PowerWDFN
Number of Pins  
8
Weight  
165.33333mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
2.2A Ta 9.5A Tc
Turn Off Delay Time  
29 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
6V 10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
2.1W Ta 42W Tc
Published  
2017
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
UniFET™
JESD-609 Code  
e4
Pbfree Code  
yes
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
200MOhm
Terminal Finish  
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
Voltage - Rated DC  
220V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Current Rating  
9.5A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2.1W
Turn On Delay Time  
17 ns
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
200m Ω @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
960pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
18nC @ 10V
Rise Time  
13ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
16 ns
Continuous Drain Current (ID)  
9.5A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
2.2A
Drain to Source Breakdown Voltage  
200V
Width  
3mm
Height  
950μm
Length  
3mm
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDMC2610 Enthaltenes Wort ist 3
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDMC2610 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
FDC86244 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF7450TRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
Verpackung: 8-PowerWDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 1862 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 6.97379
Menge. Stückpreis
1+: $6.97379
10+: $6.57905
100+: $6.20665
500+: $5.85533
1000+: $5.52390
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