STD5N80K5 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STD5N80K5
Hersteller Teil #: STD5N80K5
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
17 Weeks
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Surface Mount  
YES
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
60W Tc
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
GULL WING
Base Part Number  
STD5N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
1.75 Ω @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 100μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
177pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
800V
Vgs (Max)  
±30V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
4A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
16A
DS Breakdown Voltage-Min  
800V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
165 mJ
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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