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FDS8884 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDS8884

Hersteller Teil #: FDS8884

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDS8884 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

18 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Number of Pins

Weight

130mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

42 ns

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

2006

Series

PowerTrench®

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Additional Feature

FAST SWITCHING

Voltage - Rated DC

30V

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

8.5A

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

2.5W

Turn On Delay Time

5 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23m Ω @ 8.5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 15V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Rise Time

9ns

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

21 ns

Continuous Drain Current (ID)

8.5A

Threshold Voltage

1.7V

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain-source On Resistance-Max

0.023Ohm

Drain to Source Breakdown Voltage

30V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

40A

Avalanche Energy Rating (Eas)

32 mJ

Height

1.5mm

Length

5mm

Width

4mm

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Radiation Hardening

REACH SVHC

No SVHC

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDS8884	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
FDS8882	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
FDS8984	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
FDS6612A	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
IRF8707GTRPBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

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What is the purpose of the N-Channel MOSFET?

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 494220 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.87325

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.87325
10+:	$0.82382
100+:	$0.77719
500+:	$0.73320
1000+:	$0.69170

Zwischensumme: $0.87325

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