FDB3632-F085 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDB3632-F085
Hersteller Teil #: FDB3632-F085
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
2 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight  
1.31247g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
12A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
310W Tc
Turn Off Delay Time  
96 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
310W
Case Connection  
DRAIN
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
9m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
6000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
110nC @ 10V
Rise Time  
39ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
46 ns
Continuous Drain Current (ID)  
12A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain-source On Resistance-Max  
0.009Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
100V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
338 mJ
REACH SVHC  
not_compliant
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:FDB3632-F085 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDB3632-F085 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
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FDB3632 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount
AUIRFS4310TRL TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
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Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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