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FQP8N80C - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQP8N80C

Hersteller Teil #: FQP8N80C

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FQP8N80C Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

6 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Number of Pins

Weight

1.8g

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

178W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Series

QFET®

Published

2013

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Voltage - Rated DC

800V

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Current Rating

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Qualification Status

Not Qualified

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

178W

Turn On Delay Time

40 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.55 Ω @ 4A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Rise Time

110ns

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

70 ns

Continuous Drain Current (ID)

Threshold Voltage

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

800V

Avalanche Energy Rating (Eas)

850 mJ

Height

9.4mm

Length

10.1mm

Width

4.7mm

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FQP8N80C	TO-220-3	MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
FQP9N90C	TO-220-3	MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
FQP7N80C	TO-220-3	MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
FQP6N90C	TO-220-3	MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 16300 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 3.22798

Menge.	Stückpreis
1+:	$3.22798
10+:	$3.04526
100+:	$2.87289
500+:	$2.71027
1000+:	$2.55686

Zwischensumme: $3.22798

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