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STI30N65M5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STI30N65M5

Hersteller Teil #: STI30N65M5

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STI30N65M5 Power MOSFET, N Channel, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V

Verpackung: TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STI30N65M5 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tube

Series

MDmesh™ V

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Additional Feature

AVALANCHE ENERGY RATED

Terminal Position

SINGLE

Base Part Number

STI30N

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

140W

Turn On Delay Time

50 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

139m Ω @ 11A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Rise Time

8ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

10 ns

Continuous Drain Current (ID)

22A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

88A

Avalanche Energy Rating (Eas)

500 mJ

Height

10.75mm

Length

10.4mm

Width

4.6mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STI30N65M5	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA	STMICROELECTRONICS STI30N65M5 Power MOSFET, N Channel, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V
STI21N65M5	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA	MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
STI32N65M5	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA	MOSFET Nchannel 650 V 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh
STFI34N65M5	TO-262-3 Full Pack, I2Pak	MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
IPI65R150CFDXKSA1	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STI30N65M5 Power MOSFET, N Channel, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V

Verpackung: TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 801 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 5.30436

Menge.	Stückpreis
1+:	$5.30436
10+:	$5.00411
100+:	$4.72086
500+:	$4.45364
1000+:	$4.20155

Zwischensumme: $5.30436

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