STW18NM60ND - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW18NM60ND
Hersteller Teil #: STW18NM60ND
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
13A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
110W Tc
Turn Off Delay Time  
13 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
FDmesh™ II
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Base Part Number  
STW18N
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
55 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
290m Ω @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1030pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
34nC @ 10V
Rise Time  
15.5ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600V
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
18 ns
Continuous Drain Current (ID)  
13A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain-source On Resistance-Max  
0.29Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
52A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
187 mJ
Height  
20.15mm
Length  
15.75mm
Width  
5.15mm
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STW18NM60ND Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STW18NM60ND TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II
STW18N60M2 TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
STW19NM60N TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
STW15NM60N TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
Verwandte Teile in STW18NM60ND
STW18NM60ND Verwandtes Stichwort.
  • STW18NM60ND Preis
  • STW18NM60ND Verteilers
  • STW18NM60ND Hersteller
  • STW18NM60ND Technische Daten
  • STW18NM60ND PDF
  • STW18NM60ND Datenblätter
  • STW18NM60ND Bild
  • STW18NM60ND Foto
  • STW18NM60ND Teil
  • STW18NM60ND Lagerbestand
  • STW18NM60ND Inventar
  • STW18NM60ND Angebotsanfrage
  • Kaufen STW18NM60ND
  • STW18NM60ND Anfrage
  • STW18NM60ND Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 268 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 4.02022
Menge. Stückpreis
1+: $4.02022
10+: $3.79266
100+: $3.57798
500+: $3.37545
1000+: $3.18439
Zwischensumme: $4.02022

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12008PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 1.2KV 27.9A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12008A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 1.2KV 24.8A TO220AC
Mehr erfahren