STD13NM60ND - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STD13NM60ND
Hersteller Teil #: STD13NM60ND
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-Channel 600 V 0.38 Ohm SMT FDmesh II Power Mosfet - DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
16 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
109W Tc
Turn Off Delay Time  
9.6 ns
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Cut Tape (CT)
Series  
FDmesh™ II
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
380mOhm
Terminal Form  
GULL WING
Base Part Number  
STD13
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
109W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
46.5 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
380m Ω @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
845pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
24.5nC @ 10V
Rise Time  
10ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600V
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
15.4 ns
Continuous Drain Current (ID)  
11A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
44A
Height  
2.4mm
Length  
6.6mm
Width  
6.2mm
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STD13NM60ND Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STD13NM60ND TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 N-Channel 600 V 0.38 Ohm SMT FDmesh II Power Mosfet - DPAK
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Häufig gestellte Fragen

What are the FDmeshTM II Power MOSFETs ideal for?

bridge topologies and ZVS phase-shift converters

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: N-Channel 600 V 0.38 Ohm SMT FDmesh II Power Mosfet - DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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