FQU13N06LTU - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FQU13N06LTU

Hersteller Teil #: FQU13N06LTU

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

Verpackung: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FQU13N06LTU Datenblatt

ECAD-Modell:

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Features

• 11 A, 60 V, RDS(on) = 115 mΩ (Max) @ VGS = 10 V, ID = 5.5 A
• Low Gate Charge (Typ. 4.8 nC)
• Low Crss (Typ. 17 pF)
• 100% Avalanche Tested
• Low Level Gate Drive Requirements Allowing Direct Operation form Logic Drivers

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What company manufactures the N-Channel enhancement mode power MOSFET?

Fairchild Semiconductor

What is the purpose of the MOSFET technology?

reduce on-state resistance

What is a Low Crss (Typ. 4.8 nC)?

17 pF

Index: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

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1+:	$0.44664
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500+:	$0.37501
1000+:	$0.35378

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