STW33N60DM2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW33N60DM2
Hersteller Teil #: STW33N60DM2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STW33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
17 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
24A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Power Dissipation (Max)  
190W Tc
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
MDmesh™ DM2
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STW33N
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
130m Ω @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1870pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
43nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600V
Vgs (Max)  
±25V
Continuous Drain Current (ID)  
24A
Threshold Voltage  
4V
REACH SVHC  
No SVHC
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STW33N60DM2 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STW33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STW33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 42500 Kann sofort geliefert werden
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