STB180N55F3 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB180N55F3
Hersteller Teil #: STB180N55F3
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
330W Tc
Turn Off Delay Time  
110 ns
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
STripFET™
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB180N
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
330W
Turn On Delay Time  
25 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
3.5m Ω @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
6800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
100nC @ 10V
Rise Time  
150ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
50 ns
Continuous Drain Current (ID)  
120A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
55V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
480A
Height  
4.6mm
Length  
10.75mm
Width  
10.4mm
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB180N55F3 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB180N55F3 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
STB200NF04T4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
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Häufig gestellte Fragen

What is the latest refinement of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process?

Power MOSFET

What does the resulting transistor show for low on resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge?

high packing density

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 9000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 6.45932
Menge. Stückpreis
1+: $6.45932
10+: $6.09370
100+: $5.74877
500+: $5.42337
1000+: $5.11639
Zwischensumme: $6.45932

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