IRF520NPBF - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF520NPBF

Hersteller Teil #: IRF520NPBF

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Infineon Technologies

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF520NPBF Datenblatt

ECAD-Modell:

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated

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What do HEXFETs use to achieve low on-resistance per silicon area?

advanced processing techniques

What benefits are HEXFET Power MOSFETs well known for?

fast switching speed and ruggedized device design

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

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Datenblatt

Lagerbestand: 4897 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.65000

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.65000
10+:	$0.61321
100+:	$0.57850
500+:	$0.54575
1000+:	$0.51486

Zwischensumme: $0.65000

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