IRF520NSTRLPBF - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF520NSTRLPBF

Hersteller Teil #: IRF520NSTRLPBF

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Infineon Technologies

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF520NSTRLPBF Datenblatt

ECAD-Modell:

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology

• Surface Mount (IRF520NS)
• Low-profile through-hole (IRF520NL)
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated

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What do HEXFETs use to achieve low on-resistance per silicon area?

advanced processing techniques

What benefits are HEXFET Power MOSFETs well known for?

fast switching speed and ruggedized device design

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

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Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Stückpreis: 4.51095

Menge.	Stückpreis
1+:	$4.51095
10+:	$4.25561
100+:	$4.01473
500+:	$3.78748
1000+:	$3.57310

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