FDMC8651 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDMC8651
Hersteller Teil #: FDMC8651
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 30V N-Channel Power Trench
Verpackung: 8-PowerTDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time  
34 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-PowerTDFN
Number of Pins  
8
Weight  
32.13mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
15A Ta 20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
2.5V 4.5V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
2.3W Ta 41W Tc
Turn Off Delay Time  
35 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
JESD-609 Code  
e4
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
5
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
6.1MOhm
Terminal Finish  
Nickel/Palladium (Ni/Pd)
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
NO LEAD
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
JESD-30 Code  
S-PDSO-N5
Qualification Status  
Not Qualified
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2.3W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
18 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
6.1m Ω @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id  
1.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
3365pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
27.2nC @ 4.5V
Rise Time  
9ns
Vgs (Max)  
±12V
Fall Time (Typ)  
6 ns
Continuous Drain Current (ID)  
15A
Threshold Voltage  
800mV
Gate to Source Voltage (Vgs)  
12V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
64A
Drain to Source Breakdown Voltage  
30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
60A
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Nominal Vgs  
1.1 V
Height  
1.05mm
Length  
3.3mm
Width  
3.3mm
REACH SVHC  
No SVHC
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDMC8651 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDMC8651 8-PowerTDFN MOSFET 30V N-Channel Power Trench
FDS8896 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
STS14N3LLH5 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-channel 30 V
IRLHS6342TR2PBF 6-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET 30V N-Channel Power Trench
Verpackung: 8-PowerTDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 52800 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.66857
Menge. Stückpreis
1+: $1.66857
10+: $1.57412
100+: $1.48502
500+: $1.40096
1000+: $1.32166
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