IRF3205ZPBF - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF3205ZPBF

Hersteller Teil #: IRF3205ZPBF

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Infineon Technologies

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF3205ZPBF Datenblatt

ECAD-Modell:

Description

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Features

Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free

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What uses the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area?

HEXFET® Power MOSFET

What is the junction operating temperature of the HEXFET® Power MOSFET?

175°C

What is the name of the repetitive avalanche allowed up to Tjmax?

Lead-Free

Index: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

Verpackung: TO-220-3

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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

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Datenblatt

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Stückpreis: 1.57000

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.57000
10+:	$1.48113
100+:	$1.39729
500+:	$1.31820
1000+:	$1.24359

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