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FDMC7678 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDMC7678

Hersteller Teil #: FDMC7678

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

Verpackung: 8-PowerWDFN

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDMC7678 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Factory Lead Time

23 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-PowerWDFN

Number of Pins

Weight

180mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17.5A Ta 19.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 31W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2006

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Additional Feature

ULTRA-LOW RESISTANCE

Terminal Position

DUAL

JESD-30 Code

S-PDSO-N5

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

31W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

10 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3m Ω @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 15V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Rise Time

4ns

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

3 ns

Continuous Drain Current (ID)

17.5A

Threshold Voltage

1.5V

JEDEC-95 Code

MO-240BA

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain-source On Resistance-Max

0.0053Ohm

Drain to Source Breakdown Voltage

30V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

70A

Avalanche Energy Rating (Eas)

54 mJ

Height

750μm

Length

3.3mm

Width

3.3mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDMC7678	8-PowerWDFN	MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMC7672S	8-PowerWDFN	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC7672S MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.6 V
IRF8736PBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC
IRF8736TRPBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
IRFHM8326TRPBF	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 25A PQFN

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What is power Trench MOSFET?

A trench gate MOSFET is basically an attempt to make a complete chip. conduct the current vertically from one surface to the other so as to achieve a high. drive capability. It is realized by packing millions of trenches on a chip, deep. enough to cross the oppositely doped 'body' region below the top surface.

Is MOSFET and power MOSFET same?

Power MOSFET is a type of MOSFET which is specially meant to handle high levels of power. These exhibit high switching speed and can work much better in comparison with other normal MOSFETs in the case of low voltage levels. However its operating principle is similar to that of any other general MOSFET.

What is the advantage of power MOSFET?

It has low power consumption to allow more components per chip surface area. MOSFET has no gate diode. This makes it is possible to operate with a positive or negative gate voltage. It read directly with very thin active area.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

Verpackung: 8-PowerWDFN

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Stückpreis: 1.66496

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.66496
10+:	$1.57072
100+:	$1.48181
500+:	$1.39793
1000+:	$1.31881

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