FDMC7678 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDMC7678
Hersteller Teil #: FDMC7678
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Verpackung: 8-PowerWDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Factory Lead Time  
23 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-PowerWDFN
Number of Pins  
8
Weight  
180mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
17.5A Ta 19.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V 10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
2.3W Ta 31W Tc
Turn Off Delay Time  
26 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2006
JESD-609 Code  
e4
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
5
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Additional Feature  
ULTRA-LOW RESISTANCE
Terminal Position  
DUAL
JESD-30 Code  
S-PDSO-N5
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
31W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
10 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
5.3m Ω @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
2410pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
39nC @ 10V
Rise Time  
4ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
3 ns
Continuous Drain Current (ID)  
17.5A
Threshold Voltage  
1.5V
JEDEC-95 Code  
MO-240BA
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain-source On Resistance-Max  
0.0053Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
70A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
54 mJ
Height  
750μm
Length  
3.3mm
Width  
3.3mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDMC7678 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDMC7678 8-PowerWDFN MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMC7672S 8-PowerWDFN FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC7672S MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.6 V
IRF8736PBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC
IRF8736TRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
IRFHM8326TRPBF 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
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Häufig gestellte Fragen

What is power Trench MOSFET?

A trench gate MOSFET is basically an attempt to make a complete chip. conduct the current vertically from one surface to the other so as to achieve a high. drive capability. It is realized by packing millions of trenches on a chip, deep. enough to cross the oppositely doped 'body' region below the top surface.

Is MOSFET and power MOSFET same?

Power MOSFET is a type of MOSFET which is specially meant to handle high levels of power. These exhibit high switching speed and can work much better in comparison with other normal MOSFETs in the case of low voltage levels. However its operating principle is similar to that of any other general MOSFET.

What is the advantage of power MOSFET?

It has low power consumption to allow more components per chip surface area. MOSFET has no gate diode. This makes it is possible to operate with a positive or negative gate voltage. It read directly with very thin active area.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Verpackung: 8-PowerWDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 383 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.67208
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10+: $1.57743
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500+: $1.40391
1000+: $1.32444
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