FDC653N - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDC653N
Hersteller Teil #: FDC653N
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDC653N - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
10 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Number of Pins  
6
Weight  
30mg
Transistor Element Material  
SILICON
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V 10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
1.6W Ta
Turn Off Delay Time  
13 ns
Published  
1997
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
6
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
35MOhm
Voltage - Rated DC  
30V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Current Rating  
5A
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
1.6W
Turn On Delay Time  
7.5 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
35m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
350pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
17nC @ 10V
Rise Time  
12ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
12 ns
Continuous Drain Current (ID)  
5A
Threshold Voltage  
1.7V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
5A
Drain to Source Breakdown Voltage  
30V
Dual Supply Voltage  
30V
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Nominal Vgs  
1.7 V
Width  
1.7mm
Height  
1.1mm
Length  
3mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDC653N Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDC653N SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 ON SEMICONDUCTOR - FDC653N - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Surface Mount
FDC855N SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
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Häufig gestellte Fragen

What proprietary technology makes N-Channel enhancement mode power field effect transistors?

Fairchilds

What is the high density of N-Channel enhancement mode power field effect transistors tailored to?

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Where are N-Channel enhancement mode power field effect transistors particularly suited for low voltage applications?

notebook computers, portable phones, PCMICA cards, and other battery powered circuits

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDC653N - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 23040 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 0.96811
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1+: $0.96811
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