MMDF2C03HDR2 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-MMDF2C03HDR2
Hersteller Teil #: MMDF2C03HDR2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
4.1A 3A
Number of Elements  
2
Turn Off Delay Time  
81 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
2006
JESD-609 Code  
e0
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Voltage - Rated DC  
30V
Max Power Dissipation  
2W
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
240
Reach Compliance Code  
not_compliant
Current Rating  
4.1A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
MMDF2C03HD
Pin Count  
8
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2W
FET Type  
N and P-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
70m Ω @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
630pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
16nC @ 10V
Rise Time  
18ns
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Fall Time (Typ)  
194 ns
Continuous Drain Current (ID)  
3A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain-source On Resistance-Max  
0.07Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
21A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
324 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature  
Logic Level Gate
RoHS Status  
Non-RoHS Compliant
Lead Free  
Contains Lead
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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