MMDF1N05ER2 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-MMDF1N05ER2
Hersteller Teil #: MMDF1N05ER2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Number of Elements  
2
Turn Off Delay Time  
40 ns
Packaging  
Cut Tape (CT)
Published  
2006
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
no
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
Max Operating Temperature  
150°C
Min Operating Temperature  
-55°C
Additional Feature  
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC  
50V
Max Power Dissipation  
2W
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
240
Reach Compliance Code  
not_compliant
Current Rating  
1A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
MMDF1N05E
Pin Count  
8
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2W
FET Type  
2 N-Channel (Dual)
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
300m Ω @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
12.5nC @ 10V
Rise Time  
30ns
Fall Time (Typ)  
25 ns
Continuous Drain Current (ID)  
2A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
2A
Drain-source On Resistance-Max  
0.3Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
50V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
10A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
300 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature  
Logic Level Gate
RoHS Status  
Non-RoHS Compliant
Lead Free  
Contains Lead
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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