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IRF620 - HARRIS

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF620

Hersteller Teil #: IRF620

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: HARRIS

Beschreibung: 5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

IRF620 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220AB

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Package

Bulk

Base Product Number

IRF6

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Mfr

Harris Corporation

Power Dissipation (Max)

70W (Tc)

Product Status

Active

Operating Temperature

-65°C ~ 150°C (TJ)

Series

PowerMESH™ II

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 3A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

350 pF @ 25 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27 nC @ 10 V

Drain to Source Voltage (Vdss)

200 V

Vgs (Max)

±20V

FET Feature

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

IRF620 Preis
IRF620 Verteilers
IRF620 Hersteller
IRF620 Technische Daten
IRF620 PDF
IRF620 Datenblätter
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: 5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

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