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NDS332P - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-NDS332P

Hersteller Teil #: NDS332P

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

NDS332P Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Factory Lead Time

10 Weeks

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Surface Mount

YES

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Published

2017

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin (Sn)

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD RATED

HTS Code

8541.21.00.95

Voltage - Rated DC

-20V

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Current Rating

-1A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Qualification Status

Not Qualified

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

500mW

FET Type

P-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300m Ω @ 1.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Vgs (Max)

±8V

Continuous Drain Current (ID)

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

-20V

Width

3.05mm

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
NDS332P	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3
DMP2004K-7	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23
DMN2004K-7	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
FDN304P	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ON SEMICONDUCTOR - FDN304P - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Surface Mount
BSS806NEH6327XTSA1	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

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What is field effect transistor?

The FET transistor (field-effect transistor) controls the form and thus the conductivity of the charge carrier in a semiconductor through an electric field. As they undergo an operation of a single-carrier type these FET transistors are also called unipolar transistors. All the forms of FET have high input impedance.

What is the difference between transistor and field effect transistor?

BJT and FET are electronic devices. The basic difference between BJT and FET is that the bipolar junction transistor is the bipolar and current control device, while FET (field effect transistor) is the unijunction transistor. It is a voltage control device.

What are the types of field effect transistor?

There are two types of field-effect transistors, the Junction Field-Effect Transistor (JFET) and the “Metal-Oxide Semiconductor” Field-Effect Transistor (MOSFET), or Insulated-Gate Field-Effect Transistor (IGFET).

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

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Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Stückpreis: 0.58618

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.58618
10+:	$0.55300
100+:	$0.52169
500+:	$0.49216
1000+:	$0.46431

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