FDN339AN - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDN339AN
Hersteller Teil #: FDN339AN
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
10 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins  
3
Weight  
30mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
2.5V 4.5V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
500mW Ta
Turn Off Delay Time  
18 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
1.5V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
1999
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
35mOhm
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
20V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Current Rating  
3A
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
500mW
Turn On Delay Time  
8 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
35m Ω @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
700pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
10nC @ 4.5V
Rise Time  
10ns
Vgs (Max)  
±8V
Fall Time (Typ)  
10 ns
Continuous Drain Current (ID)  
3A
Threshold Voltage  
850mV
Gate to Source Voltage (Vgs)  
8V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
3A
Drain to Source Breakdown Voltage  
20V
Dual Supply Voltage  
20V
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Nominal Vgs  
850 mV
Height  
1.22mm
Length  
2.92mm
Width  
1.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDN339AN Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDN339AN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
IRLML6402TRPBF TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
FDN302P TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
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NTR3C21NZT1G TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET 20 V SANYO T6 NCH IN
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Häufig gestellte Fragen

What advanced PowerTrench process is used to produce the N-Channel 2.5V specified MOSFET?

Fairchild Semiconductors

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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